제조업체 제품 번호:
IXTT2N170D2
Product Overview
제조사:
IXYS
부품 번호:
IXTT2N170D2-DG
설명:
MOSFET N-CH 1700V 2A TO268
상세 설명:
N-Channel 1700 V 2A (Tj) 568W (Tc) Surface Mount TO-268AA
재고:
12819302
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제출
IXTT2N170D2 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Littelfuse
포장
Tube
시리즈
Depletion
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
1700 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
2A (Tj)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
-
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
6.5Ohm @ 1A, 0V
Vgs(일) (최대) @ Id
-
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
110 nC @ 5 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
3650 pF @ 25 V
FET 기능
Depletion Mode
전력 손실(최대)
568W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
TO-268AA
패키지 / 케이스
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
기본 제품 번호
IXTT2
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
표준 패키지
30
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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