IXTT30N60P
제조업체 제품 번호:

IXTT30N60P

Product Overview

제조사:

IXYS

부품 번호:

IXTT30N60P-DG

설명:

MOSFET N-CH 600V 30A TO268
상세 설명:
N-Channel 600 V 30A (Tc) 540W (Tc) Surface Mount TO-268AA

재고:

12911675
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제출

IXTT30N60P 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Littelfuse
포장
-
시리즈
Polar
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
600 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
30A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
240mOhm @ 15A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
82 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
5050 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
540W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
TO-268AA
패키지 / 케이스
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
기본 제품 번호
IXTT30

데이터 시트 및 문서

데이터시트
HTML 데이터시트

추가 정보

표준 패키지
30

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095

대체 모델

부품 번호
IXTT26N60P
제조사
IXYS
구매 가능 수량
0
부품 번호
IXTT26N60P-DG
단가
6.98
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
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