IXTU01N100D
제조업체 제품 번호:

IXTU01N100D

Product Overview

제조사:

IXYS

부품 번호:

IXTU01N100D-DG

설명:

MOSFET N-CH 1000V 400MA TO251
상세 설명:
N-Channel 1000 V 400mA (Tc) 1.1W (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-251AA

재고:

12818963
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제출

IXTU01N100D 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Littelfuse
포장
-
시리즈
Depletion
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
1000 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
400mA (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
0V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
80Ohm @ 50mA, 0V
Vgs(일) (최대) @ Id
4.5V @ 25µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
5.8 nC @ 5 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
100 pF @ 25 V
FET 기능
Depletion Mode
전력 손실(최대)
1.1W (Ta), 25W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-251AA
패키지 / 케이스
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
기본 제품 번호
IXTU01

데이터 시트 및 문서

데이터시트
HTML 데이터시트

추가 정보

표준 패키지
70

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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