JANSF2N3810
제조업체 제품 번호:

JANSF2N3810

Product Overview

제조사:

Microchip Technology

부품 번호:

JANSF2N3810-DG

설명:

NPN TRANSISTOR
상세 설명:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 60V 50mA 350mW Through Hole TO-78-6

재고:

13257277
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제출

JANSF2N3810 기술 사양

카테고리
바이폴라 (BJT), 바이폴라 트랜지스터 배열
제조사
Microchip Technology
포장
Bulk
시리즈
-
제품 상태
Active
트랜지스터 유형
2 PNP (Dual)
전류 - 컬렉터(Ic)(최대)
50mA
전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대)
60V
Vce 포화도(최대) @ Ib, Ic
250mV @ 100µA, 1mA
전류 - 컬렉터 컷오프(최대)
10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce
150 @ 1mA, 5V
전력 - 최대
350mW
빈도 - 전환
-
작동 온도
-65°C ~ 200°C (TJ)
Military
자격
MIL-PRF-19500/336
실장 형
Through Hole
패키지 / 케이스
TO-78-6 Metal Can
공급업체 장치 패키지
TO-78-6
기본 제품 번호
2N3810

추가 정보

표준 패키지
1

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
RoHS non-compliant
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0095
DIGI 인증
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