제조업체 제품 번호:
LND01K1-G
Product Overview
제조사:
Microchip Technology
부품 번호:
LND01K1-G-DG
설명:
MOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5
상세 설명:
N-Channel 9 V 330mA (Tj) 360mW (Ta) Surface Mount SOT-23-5
재고:
3471 새로운 원본 재고 있음
12794311
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제출
LND01K1-G 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Microchip Technology
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
9 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
330mA (Tj)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
0V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 100mA, 0V
Vgs(일) (최대) @ Id
-
Vgs(최대)
+0.6V, -12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
46 pF @ 5 V
FET 기능
Depletion Mode
전력 손실(최대)
360mW (Ta)
작동 온도
-25°C ~ 125°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
SOT-23-5
패키지 / 케이스
SC-74A, SOT-753
기본 제품 번호
LND01
데이터 시트 및 문서
추가 정보
다른 이름들
LND01K1-GDKR
LND01K1-GTR
LND01K1-GCT
LND01K1-G-DG
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0095
DIGI 인증
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