제조업체 제품 번호:
LND150N3-G
Product Overview
제조사:
Microchip Technology
부품 번호:
LND150N3-G-DG
설명:
MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
상세 설명:
N-Channel 500 V 30mA (Tj) 740mW (Ta) Through Hole TO-92-3
재고:
4988 새로운 원본 재고 있음
12815215
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제출
LND150N3-G 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Microchip Technology
포장
Bag
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
500 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
30mA (Tj)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
0V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
1000Ohm @ 500µA, 0V
Vgs(일) (최대) @ Id
-
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
10 pF @ 25 V
FET 기능
Depletion Mode
전력 손실(최대)
740mW (Ta)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-92-3
패키지 / 케이스
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
기본 제품 번호
LND150
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
표준 패키지
1,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0095
DIGI 인증
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