제조업체 제품 번호:
TP5335K1-G
Product Overview
제조사:
Microchip Technology
부품 번호:
TP5335K1-G-DG
설명:
MOSFET P-CH 350V 85MA TO236AB
상세 설명:
P-Channel 350 V 85mA (Tj) 360mW (Ta) Surface Mount TO-236AB (SOT23)
재고:
29044 새로운 원본 재고 있음
12807634
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제출
TP5335K1-G 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Microchip Technology
포장
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
P-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
350 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
85mA (Tj)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
30Ohm @ 200mA, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.4V @ 1mA
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
110 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
360mW (Ta)
작동 온도
-55°C ~ 150°C
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
TO-236AB (SOT23)
패키지 / 케이스
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
기본 제품 번호
TP5335
데이터 시트 및 문서
추가 정보
다른 이름들
TP5335K1-GDKR
TP5335K1-GTR
TP5335K1-GCT
TP5335K1-G-DG
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0095
DIGI 인증
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