제조업체 제품 번호:
VP2206N2
Product Overview
제조사:
Microchip Technology
부품 번호:
VP2206N2-DG
설명:
MOSFET P-CH 60V 750MA TO39
상세 설명:
P-Channel 60 V 750mA (Tj) 360mW (Tc) Through Hole TO-39
재고:
964 새로운 원본 재고 있음
12811135
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제출
VP2206N2 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Microchip Technology
포장
Bag
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
P-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
60 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
750mA (Tj)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
900mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
3.5V @ 10mA
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
450 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
360mW (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-39
패키지 / 케이스
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
기본 제품 번호
VP2206
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
표준 패키지
500
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
RoHS non-compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0095
DIGI 인증
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