제조업체 제품 번호:
APT10M09B2VFRG
Product Overview
제조사:
Microsemi Corporation
부품 번호:
APT10M09B2VFRG-DG
설명:
MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX
상세 설명:
N-Channel 100 V 100A (Tc) 625W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
재고:
13261425
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제출
APT10M09B2VFRG 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Microsemi
포장
-
시리즈
POWER MOS V®
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
100 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
100A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
9mOhm @ 50A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 2.5mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
350 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
9875 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
625W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
T-MAX™ [B2]
패키지 / 케이스
TO-247-3 Variant
추가 정보
다른 이름들
150-APT10M09B2VFRG
APT10M09B2VFRG-ND
표준 패키지
30
환경 및 수출 분류
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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