제조업체 제품 번호:
APT25SM120S
Product Overview
제조사:
Microsemi Corporation
부품 번호:
APT25SM120S-DG
설명:
SICFET N-CH 1200V 25A D3
상세 설명:
N-Channel 1200 V 25A (Tc) 175W (Tc) Chassis Mount D3
재고:
13261334
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제출
APT25SM120S 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Microsemi
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
SiCFET (Silicon Carbide)
드레인-소스 전압(Vdss)
1200 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
25A (Tc)
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
175mOhm @ 10A, 20V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.5V @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
72 nC @ 20 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
175W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Chassis Mount
공급업체 장치 패키지
D3
패키지 / 케이스
D-3 Module
추가 정보
다른 이름들
APT25SM120S-ND
150-APT25SM120S
표준 패키지
1
환경 및 수출 분류
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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