제조업체 제품 번호:
APT30N60KC6
Product Overview
제조사:
Microsemi Corporation
부품 번호:
APT30N60KC6-DG
설명:
MOSFET N-CH 600V 30A TO220
상세 설명:
N-Channel 600 V 30A (Tc) 219W (Tc) Through Hole TO-220 [K]
재고:
13257475
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제출
APT30N60KC6 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Microsemi
포장
-
시리즈
CoolMOS™
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
600 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
30A (Tc)
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
125mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
3.5V @ 960µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
88 nC @ 10 V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
2267 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
219W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-220 [K]
패키지 / 케이스
TO-220-3
추가 정보
다른 이름들
APT30N60KC6-ND
150-APT30N60KC6
표준 패키지
50
환경 및 수출 분류
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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