제조업체 제품 번호:
APT6M100K
Product Overview
제조사:
Microsemi Corporation
부품 번호:
APT6M100K-DG
설명:
MOSFET N-CH 1000V 6A TO220
상세 설명:
N-Channel 1000 V 6A (Tc) 225W (Tc) Through Hole TO-220 [K]
재고:
13257353
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
APT6M100K 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Microsemi
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
1000 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
6A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
2.5Ohm @ 3A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
5V @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
43 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1410 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
225W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-220 [K]
패키지 / 케이스
TO-220-3
데이터 시트 및 문서
추가 정보
다른 이름들
APT6M100KMI
APT6M100KMI-ND
APT6M100K-ND
150-APT6M100K
표준 패키지
50
환경 및 수출 분류
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
관련 상품
APT8065SVRG
MOSFET N-CH 800V 13A D3PAK
APTM10DAM02G
MOSFET N-CH 100V 495A SP6
APT6029BLLG
MOSFET N-CH 600V 21A TO247
