제조업체 제품 번호:
APTM120U10DAG
Product Overview
제조사:
Microsemi Corporation
부품 번호:
APTM120U10DAG-DG
설명:
MOSFET N-CH 1200V 160A SP6
상세 설명:
N-Channel 1200 V 160A (Tc) 3290W (Tc) Chassis Mount SP6
재고:
13252541
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제출
APTM120U10DAG 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Microsemi
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
1200 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
160A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
120mOhm @ 58A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
5V @ 20mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
1100 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
28900 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
3290W (Tc)
작동 온도
-40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Chassis Mount
공급업체 장치 패키지
SP6
패키지 / 케이스
SP6
데이터 시트 및 문서
추가 정보
다른 이름들
APTM120U10DAG-ND
150-APTM120U10DAG
표준 패키지
1
환경 및 수출 분류
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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