제조업체 제품 번호:
JAN2N7334
Product Overview
제조사:
Microsemi Corporation
부품 번호:
JAN2N7334-DG
설명:
MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB
상세 설명:
Mosfet Array 100V 1A 1.4W Through Hole MO-036AB
재고:
12929658
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제출
JAN2N7334 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET 배열
제조사
Microsemi
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Active
기술
MOSFET (Metal Oxide)
구성
4 N-Channel
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
100V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
1A
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
700mOhm @ 600mA, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
60nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
-
전력 - 최대
1.4W
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
급
Military
자격
MIL-PRF-19500/597
실장 형
Through Hole
패키지 / 케이스
14-DIP (0.300", 7.62mm)
공급업체 장치 패키지
MO-036AB
기본 제품 번호
2N733
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
JAN2N7334-MIL
150-JAN2N7334
JAN2N7334-DG
표준 패키지
1
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
RoHS non-compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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