제조업체 제품 번호:
JANTXV2N6849
Product Overview
제조사:
Microsemi Corporation
부품 번호:
JANTXV2N6849-DG
설명:
MOSFET P-CH 100V 6.5A TO205AF
상세 설명:
P-Channel 100 V 6.5A (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-205AF (TO-39)
재고:
12926106
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제출
JANTXV2N6849 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Microsemi
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Obsolete
FET 유형
P-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
100 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
6.5A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
320mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
34.8 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
800mW (Ta), 25W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
급
Military
자격
MIL-PRF-19500/564
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-205AF (TO-39)
패키지 / 케이스
TO-205AF Metal Can
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
150-JANTXV2N6849
JANTXV2N6849-MIL
JANTXV2N6849-DG
표준 패키지
1
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
RoHS non-compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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