제조업체 제품 번호:
AN1L3N
Product Overview
제조사:
NEC Corporation
부품 번호:
AN1L3N-DG
설명:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A TO92
상세 설명:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 mW Through Hole TO-92
재고:
56894 새로운 원본 재고 있음
12931581
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제출
AN1L3N 기술 사양
카테고리
바이폴라 (BJT), 단일, 프리바이즈드 바이폴라 트랜지스터
제조사
포장
Bulk
시리즈
-
제품 상태
Active
트랜지스터 유형
PNP - Pre-Biased
전류 - 컬렉터(Ic)(최대)
100 mA
전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대)
50 V
저항기 - 베이스(R1)
4.7 kOhms
저항기 - 이미터 베이스(R2)
10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce
80 @ 50mA, 5V
Vce 포화도(최대) @ Ib, Ic
200mV @ 250µA, 5mA
전류 - 컬렉터 컷오프(최대)
100nA (ICBO)
전력 - 최대
250 mW
실장 형
Through Hole
패키지 / 케이스
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급업체 장치 패키지
TO-92
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
RENNECAN1L3N
2156-AN1L3N
표준 패키지
1,159
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
RoHS non-compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
Vendor Undefined
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0095
DIGI 인증
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