제조업체 제품 번호:
NP80N04NDG-S18-AY
Product Overview
제조사:
NEC Corporation
부품 번호:
NP80N04NDG-S18-AY-DG
설명:
MOSFET N-CH 40V 80A TO262
상세 설명:
N-Channel 40 V 80A (Tc) 1.8W (Ta), 115W (Tc) Through Hole TO-262
재고:
1400 새로운 원본 재고 있음
13076054
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제출
NP80N04NDG-S18-AY 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
포장
Tube
시리즈
-
포장
Tube
부품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
40 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
80A (Tc)
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
4.8mOhm @ 40A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
135 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
6900 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
1.8W (Ta), 115W (Tc)
작동 온도
175°C
급
Automotive
자격
AEC-Q101
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-262
패키지 / 케이스
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
2156-NP80N04NDG-S18-AY-NEC
RENNECNP80N04NDG-S18-AY
표준 패키지
151
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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