제조업체 제품 번호:
2N7002F,215
Product Overview
제조사:
Nexperia USA Inc.
부품 번호:
2N7002F,215-DG
설명:
MOSFET N-CH 60V 475MA TO236AB
상세 설명:
N-Channel 60 V 475mA (Ta) 830mW (Ta) Surface Mount TO-236AB
재고:
12826263
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제출
2N7002F,215 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Nexperia
포장
-
시리즈
TrenchMOS™
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
60 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
475mA (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
0.69 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
50 pF @ 10 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
830mW (Ta)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
TO-236AB
패키지 / 케이스
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
기본 제품 번호
2N7002
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
568-5983-6
2N7002F T/R-DG
2N7002F,215-DG
568-5983-1
568-5983-2
2N7002F T/R
934056997215
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0095
대체 모델
DIGI 인증
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