제조업체 제품 번호:
BSH111,215
Product Overview
제조사:
Nexperia USA Inc.
부품 번호:
BSH111,215-DG
설명:
MOSFET N-CH 55V 335MA TO236AB
상세 설명:
N-Channel 55 V 335mA (Ta) 830mW (Tc) Surface Mount TO-236AB
재고:
12832184
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제출
BSH111,215 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Nexperia
포장
-
시리즈
TrenchMOS™
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
55 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
335mA (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
1.8V, 4.5V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
4Ohm @ 500mA, 4.5V
Vgs(일) (최대) @ Id
1.3V @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
1 nC @ 8 V
Vgs(최대)
±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
40 pF @ 10 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
830mW (Tc)
작동 온도
-65°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
TO-236AB
패키지 / 케이스
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
BSH111215
BSH111 T/R
934056036215
568-1657-6
568-1657-1
568-1657-2
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0095
대체 모델
부품 번호
BSS138NH6327XTSA2
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
0
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BSS138NH6327XTSA2-DG
단가
0.04
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