제조업체 제품 번호:
BSH111,235
Product Overview
제조사:
Nexperia USA Inc.
부품 번호:
BSH111,235-DG
설명:
MOSFET N-CH 55V 335MA TO236AB
상세 설명:
N-Channel 55 V 335mA (Ta) 830mW (Tc) Surface Mount TO-236AB
재고:
12830023
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
BSH111,235 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Nexperia
포장
-
시리즈
TrenchMOS™
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
55 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
335mA (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
1.8V, 4.5V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
4Ohm @ 500mA, 4.5V
Vgs(일) (최대) @ Id
1.3V @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
1 nC @ 8 V
Vgs(최대)
±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
40 pF @ 10 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
830mW (Tc)
작동 온도
-65°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
TO-236AB
패키지 / 케이스
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
934056036235
BSH111 /T3
BSH111 /T3-DG
표준 패키지
10,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0095
대체 모델
부품 번호
SN7002NH6327XTSA2
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
873
부품 번호
SN7002NH6327XTSA2-DG
단가
0.04
대체 유형
Similar
DIGI 인증
관련 상품
BUK9628-55A,118
MOSFET N-CH 55V 42A D2PAK
BUK7516-55A,127
MOSFET N-CH 55V 65.7A TO220AB
BUK9Y30-75B,115
MOSFET N-CH 75V 34A LFPAK56