제조업체 제품 번호:
BSH111BKR
Product Overview
제조사:
Nexperia USA Inc.
부품 번호:
BSH111BKR-DG
설명:
MOSFET N-CH 55V 210MA TO236AB
상세 설명:
N-Channel 55 V 210mA (Ta) 302mW (Ta) Surface Mount TO-236AB
재고:
24240 새로운 원본 재고 있음
12830749
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제출
BSH111BKR 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Nexperia
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
55 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
210mA (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
4Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs(일) (최대) @ Id
1.3V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
0.5 nC @ 4.5 V
Vgs(최대)
±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
30 pF @ 30 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
302mW (Ta)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
TO-236AB
패키지 / 케이스
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
기본 제품 번호
BSH111
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
568-12637-2
568-12637-6-DG
568-12637-6
1727-2340-6
2156-BSH111BKRTR
568-12637-2-DG
5202-BSH111BKRTR
1727-2340-2
934068056215
1727-2340-1
568-12637-1-DG
568-12637-1
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0095
DIGI 인증
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