제조업체 제품 번호:
BST82,235
Product Overview
제조사:
Nexperia USA Inc.
부품 번호:
BST82,235-DG
설명:
MOSFET N-CH 100V 190MA TO236AB
상세 설명:
N-Channel 100 V 190mA (Ta) 830mW (Tc) Surface Mount TO-236AB
재고:
20973 새로운 원본 재고 있음
12831677
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
BST82,235 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Nexperia
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
TrenchMOS™
제품 상태
Not For New Designs
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
100 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
190mA (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
5V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
10Ohm @ 150mA, 5V
Vgs(일) (최대) @ Id
2V @ 1mA
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
40 pF @ 10 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
830mW (Tc)
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
TO-236AB
패키지 / 케이스
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
기본 제품 번호
BST82
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
933733110235
1727-BST82,235TR
5202-BST82,235TR
BST82,235-DG
1727-BST82,235CT
1727-BST82,235DKR
BST82 /T3-DG
BST82 /T3
표준 패키지
10,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0095
대체 모델
DIGI 인증
관련 상품
PHP18NQ10T,127
MOSFET N-CH 100V 18A TO220AB
BUK9275-100A,118
MOSFET N-CH 100V 21.7A DPAK
BUK96180-100A,118
MOSFET N-CH 100V 11A D2PAK
