제조업체 제품 번호:
BUK7E5R2-100E,127
Product Overview
제조사:
Nexperia USA Inc.
부품 번호:
BUK7E5R2-100E,127-DG
설명:
MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK
상세 설명:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 349W (Tc) Through Hole I2PAK
재고:
12831007
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제출
BUK7E5R2-100E,127 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Nexperia
포장
-
시리즈
TrenchMOS™
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
100 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
120A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
5.2mOhm @ 25A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
11810 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
349W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
급
Automotive
자격
AEC-Q101
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
I2PAK
패키지 / 케이스
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
BUK7E5R2100E127
NEXNXPBUK7E5R2-100E,127
2156-BUK7E5R2-100E127
934066518127
568-9856-5
1727-7247
568-9856-5-DG
표준 패키지
50
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
BUK7E5R2-100E,127
제조사
NXP Semiconductors
구매 가능 수량
473
부품 번호
BUK7E5R2-100E,127-DG
단가
1.10
대체 유형
Parametric Equivalent
부품 번호
IPI045N10N3GXKSA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
894
부품 번호
IPI045N10N3GXKSA1-DG
단가
1.32
대체 유형
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