제조업체 제품 번호:
PEMD9,315
Product Overview
제조사:
Nexperia USA Inc.
부품 번호:
PEMD9,315-DG
설명:
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT666
상세 설명:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666
재고:
12000 새로운 원본 재고 있음
12827036
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제출
PEMD9,315 기술 사양
카테고리
바이폴라 (BJT), 바이폴라 트랜지스터 배열, 프리 바이어스
제조사
Nexperia
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
-
제품 상태
Not For New Designs
트랜지스터 유형
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류 - 컬렉터(Ic)(최대)
100mA
전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대)
50V
저항기 - 베이스(R1)
10kOhms
저항기 - 이미터 베이스(R2)
47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce
100 @ 5mA, 5V
Vce 포화도(최대) @ Ib, Ic
100mV @ 250µA, 5mA
전류 - 컬렉터 컷오프(최대)
1µA
빈도 - 전환
-
전력 - 최대
300mW
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
SOT-563, SOT-666
공급업체 장치 패키지
SOT-666
기본 제품 번호
PEMD9
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
1727-PEMD9,315CT
1727-PEMD9,315DKR
1727-PEMD9,315TR
5202-PEMD9,315TR
934056706315
PEMD9,315-DG
표준 패키지
8,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0095
대체 모델
부품 번호
RN4982FE,LF(CT
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
구매 가능 수량
3035
부품 번호
RN4982FE,LF(CT-DG
단가
0.02
대체 유형
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