제조업체 제품 번호:
PHKD6N02LT,518
Product Overview
제조사:
Nexperia USA Inc.
부품 번호:
PHKD6N02LT,518-DG
설명:
MOSFET 2N-CH 20V 10.9A 8SO
상세 설명:
Mosfet Array 20V 10.9A 4.17W Surface Mount 8-SO
재고:
12829211
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제출
PHKD6N02LT,518 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET 배열
제조사
Nexperia
포장
-
시리즈
TrenchMOS™
제품 상태
Obsolete
기술
MOSFET (Metal Oxide)
구성
2 N-Channel (Dual)
FET 기능
Logic Level Gate
드레인-소스 전압(Vdss)
20V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
10.9A
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
20mOhm @ 3A, 5V
Vgs(일) (최대) @ Id
1.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
15.3nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
950pF @ 10V
전력 - 최대
4.17W
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급업체 장치 패키지
8-SO
기본 제품 번호
PHKD6
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
PHKD6N02LT /T3-DG
2156-PHKD6N02LT,518-1727
PHKD6N02LT /T3
934056831518
표준 패키지
2,500
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
2 (1 Year)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
SI9926CDY-T1-GE3
제조사
Vishay Siliconix
구매 가능 수량
19493
부품 번호
SI9926CDY-T1-GE3-DG
단가
0.35
대체 유형
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부품 번호
SI9926CDY-T1-E3
제조사
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7182
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단가
0.44
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