PMDT670UPE,115
제조업체 제품 번호:

PMDT670UPE,115

Product Overview

제조사:

Nexperia USA Inc.

부품 번호:

PMDT670UPE,115-DG

설명:

MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT666
상세 설명:
Mosfet Array 20V 550mA 330mW Surface Mount SOT-666

재고:

8459 새로운 원본 재고 있음
12831206
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제출

PMDT670UPE,115 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET 배열
제조사
Nexperia
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
TrenchMOS™
제품 상태
Not For New Designs
기술
MOSFET (Metal Oxide)
구성
2 P-Channel (Dual)
FET 기능
Logic Level Gate
드레인-소스 전압(Vdss)
20V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
550mA
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
850mOhm @ 400mA, 4.5V
Vgs(일) (최대) @ Id
1.3V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
1.14nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
87pF @ 10V
전력 - 최대
330mW
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
Automotive
자격
AEC-Q101
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
SOT-563, SOT-666
공급업체 장치 패키지
SOT-666
기본 제품 번호
PMDT670

데이터 시트 및 문서

데이터시트
HTML 데이터시트

추가 정보

다른 이름들
1727-1334-1
568-10767-1-DG
1727-1334-2
568-10767-2-DG
1727-1334-6
PMDT670UPE115
5202-PMDT670UPE,115TR
568-10767-6
568-10767-2
PMDT670UPE,115-DG
568-10767-6-DG
568-10767-1
934065734115
표준 패키지
4,000

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0095

대체 모델

부품 번호
NTJD4152PT1G
제조사
onsemi
구매 가능 수량
15411
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0.10
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