제조업체 제품 번호:
PMH850UPEH
Product Overview
제조사:
Nexperia USA Inc.
부품 번호:
PMH850UPEH-DG
설명:
MOSFET P-CH 30V 600MA DFN0606-3
상세 설명:
P-Channel 30 V 600mA (Ta) 660mW (Ta), 2.23W (Tc) Surface Mount DFN0606-3
재고:
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제출
PMH850UPEH 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Nexperia
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
TrenchMOS™
제품 상태
Active
FET 유형
P-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
30 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
600mA (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
1.5V, 4.5V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
1Ohm @ 500mA, 4.5V
Vgs(일) (최대) @ Id
950mV @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
0.9 nC @ 4.5 V
Vgs(최대)
±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
62.2 pF @ 15 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
660mW (Ta), 2.23W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
DFN0606-3
패키지 / 케이스
3-XFDFN
기본 제품 번호
PMH850
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
1727-PMH850UPEHDKR
935690961125
5202-PMH850UPEHTR
1727-PMH850UPEHCT
1727-PMH850UPEHTR
표준 패키지
10,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
3 (168 Hours)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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