제조업체 제품 번호:
PMV32UP/MIR
Product Overview
제조사:
Nexperia USA Inc.
부품 번호:
PMV32UP/MIR-DG
설명:
MOSFET P-CH 20V 4A TO236AB
상세 설명:
P-Channel 20 V 4A (Ta) 510mW (Ta), 4.15W (Tc) Surface Mount TO-236AB
재고:
12832979
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제출
PMV32UP/MIR 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Nexperia
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Obsolete
FET 유형
P-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
20 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
4A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
1.8V, 4.5V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
36mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs(일) (최대) @ Id
950mV @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
15.5 nC @ 4.5 V
Vgs(최대)
±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1890 pF @ 10 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
510mW (Ta), 4.15W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
TO-236AB
패키지 / 케이스
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
추가 정보
다른 이름들
934068502215
표준 패키지
1
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
SI2399DS-T1-GE3
제조사
Vishay Siliconix
구매 가능 수량
7732
부품 번호
SI2399DS-T1-GE3-DG
단가
0.13
대체 유형
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