제조업체 제품 번호:
PSMN130-200D,118
Product Overview
제조사:
Nexperia USA Inc.
부품 번호:
PSMN130-200D,118-DG
설명:
MOSFET N-CH 200V 20A DPAK
상세 설명:
N-Channel 200 V 20A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount DPAK
재고:
12832920
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제출
PSMN130-200D,118 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Nexperia
포장
-
시리즈
TrenchMOS™
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
200 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
20A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
130mOhm @ 25A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
65 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
2470 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
150W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
DPAK
패키지 / 케이스
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
568-8114-2
568-8114-1
1727-6296-6
1727-6296-2
934055761118
568-8114-6
PSMN130-200D /T3
568-8114-6-DG
568-8114-1-DG
568-8114-2-DG
PSMN130-200D /T3-DG
1727-6296-1
PSMN130-200D,118-DG
표준 패키지
2,500
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
SUD19N20-90-T4-E3
제조사
Vishay Siliconix
구매 가능 수량
0
부품 번호
SUD19N20-90-T4-E3-DG
단가
1.18
대체 유형
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