제조업체 제품 번호:
PSMN2R0-25YLDX
Product Overview
제조사:
Nexperia USA Inc.
부품 번호:
PSMN2R0-25YLDX-DG
설명:
MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
상세 설명:
N-Channel 25 V 100A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
재고:
2846 새로운 원본 재고 있음
12829942
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제출
PSMN2R0-25YLDX 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Nexperia
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
25 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
100A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
2.09mOhm @ 25A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.2V @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
34.1 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
2485 pF @ 12 V
FET 기능
Schottky Diode (Body)
전력 손실(최대)
115W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
LFPAK56, Power-SO8
패키지 / 케이스
SC-100, SOT-669
기본 제품 번호
PSMN2R0
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
568-12930-1
1727-2498-6
568-12930-1-DG
1727-2498-2
568-12930-2
5202-PSMN2R0-25YLDXTR
1727-2498-1
568-12930-2-DG
934069912115
568-12930-6
568-12930-6-DG
표준 패키지
1,500
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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