PSMN2R7-30PL,127
제조업체 제품 번호:

PSMN2R7-30PL,127

Product Overview

제조사:

Nexperia USA Inc.

부품 번호:

PSMN2R7-30PL,127-DG

설명:

MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
상세 설명:
N-Channel 30 V 100A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-220AB

재고:

939 새로운 원본 재고 있음
12830651
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제출

PSMN2R7-30PL,127 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Nexperia
포장
Tube
시리즈
-
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
30 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
100A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
2.7mOhm @ 15A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.15V @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
66 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
3954 pF @ 12 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
170W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-220AB
패키지 / 케이스
TO-220-3
기본 제품 번호
PSMN2R7

데이터 시트 및 문서

데이터시트
HTML 데이터시트

추가 정보

다른 이름들
5202-PSMN2R7-30PL,127TR
934064005127
568-5235
568-5235-5-DG
568-5235-DG
568-5235-5
1727-4389
표준 패키지
50

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095

대체 모델

부품 번호
IPP80N03S4L03AKSA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
0
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