제조업체 제품 번호:
PSMN3R5-80ES,127
Product Overview
제조사:
Nexperia USA Inc.
부품 번호:
PSMN3R5-80ES,127-DG
설명:
MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
상세 설명:
N-Channel 80 V 120A (Tc) 338W (Tc) Through Hole I2PAK
재고:
12830958
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
ACCJ
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
PSMN3R5-80ES,127 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Nexperia
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
80 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
120A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
3.5mOhm @ 25A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
139 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
9800 pF @ 30 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
338W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
I2PAK
패키지 / 케이스
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
1727-5283
568-6711-DG
2166-PSMN3R5-80ES,127-1727
568-6711
934065163127
568-6711-5
568-6711-5-DG
표준 패키지
50
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
PSMN3R5-80PS,127
제조사
Nexperia USA Inc.
구매 가능 수량
5952
부품 번호
PSMN3R5-80PS,127-DG
단가
2.00
대체 유형
Similar
DIGI 인증
관련 상품
PMPB24EPX
MOSFET P-CH 30V 6.4A DFN2020MD-6
PSMN3R9-25MLC,115
MOSFET N-CH 25V 70A LFPAK33
PMK50XP,518
MOSFET P-CH 20V 7.9A 8SO
