제조업체 제품 번호:
NTE2399
Product Overview
제조사:
NTE Electronics, Inc
부품 번호:
NTE2399-DG
설명:
MOSFET N-CHANNEL 1KV 3.1A TO220
상세 설명:
N-Channel 1000 V 3.1A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220
재고:
81 새로운 원본 재고 있음
12922838
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
NTE2399 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
포장
Bag
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
1000 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
3.1A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
5Ohm @ 1.9A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
980 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
125W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-220
패키지 / 케이스
TO-220-3
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
2368-NTE2399
표준 패키지
1
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
REACH 상태
Vendor Undefined
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
관련 상품
NTE2389
MOSFET N-CHANNEL 60V 35A TO220
NTE455
MOSFET-DUAL GATE N-CH
FQT2P25TF
MOSFET P-CH 250V 550MA SOT223-4
