제조업체 제품 번호:
BUK661R8-30C,118
Product Overview
제조사:
NXP USA Inc.
부품 번호:
BUK661R8-30C,118-DG
설명:
MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
상세 설명:
N-Channel 30 V 120A (Tc) 263W (Tc) Surface Mount D2PAK
재고:
1473 새로운 원본 재고 있음
12946276
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제출
BUK661R8-30C,118 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
NXP Semiconductors
포장
Bulk
시리즈
TrenchMOS™
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
30 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
120A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
1.9mOhm @ 25A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.8V @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
168 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
10918 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
263W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
급
Automotive
자격
AEC-Q101
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
D2PAK
패키지 / 케이스
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
데이터 시트 및 문서
추가 정보
다른 이름들
2156-BUK661R8-30C,118
NEXNXPBUK661R8-30C,118
표준 패키지
245
환경 및 수출 분류
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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