제조업체 제품 번호:
BUK7611-55A,118
Product Overview
제조사:
NXP USA Inc.
부품 번호:
BUK7611-55A,118-DG
설명:
NOW NEXPERIA BUK7611-55A - 75A,
상세 설명:
N-Channel 55 V 75A (Tc) 166W (Tc) Surface Mount D2PAK
재고:
6400 새로운 원본 재고 있음
12978135
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
BUK7611-55A,118 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
NXP Semiconductors
포장
Bulk
시리즈
TrenchMOS™
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
55 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
75A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
11mOhm @ 25A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 1mA
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
3093 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
166W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
급
Automotive
자격
AEC-Q101
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
D2PAK
패키지 / 케이스
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
데이터 시트 및 문서
추가 정보
다른 이름들
NEXNXPBUK7611-55A,118
2156-BUK7611-55A,118
표준 패키지
523
환경 및 수출 분류
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
관련 상품
IPW65R099CFD7AXKSA1
MOSFET N-CH 650V 24A TO247-3-41
AON6104FH
MOSFET N-CH 8DFN 5X6
IMBG120R090M1HXTMA1
SICFET N-CH 1.2KV 26A TO263
