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제조업체 제품 번호:
NX7002BKMBYL
Product Overview
제조사:
NXP Semiconductors
부품 번호:
NX7002BKMBYL-DG
설명:
NEXPERIA NX7002B - 60V, N-CHANNE
상세 설명:
N-Channel 60 V 350mA (Ta) 350mW (Ta), 3.1W (Tc) Surface Mount DFN1006B-3
재고:
55002 새로운 원본 재고 있음
12968076
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제출
NX7002BKMBYL 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
NXP Semiconductors
포장
Bulk
시리즈
TrenchMOS™
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
60 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
350mA (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
2.8Ohm @ 200mA, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.1V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
1 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
23.6 pF @ 10 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
350mW (Ta), 3.1W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
DFN1006B-3
패키지 / 케이스
3-XFDFN
데이터 시트 및 문서
데이터시트
NX7002BKMBYL
HTML 데이터시트
NX7002BKMBYL-DG
추가 정보
다른 이름들
2156-NX7002BKMBYL-954
표준 패키지
10,886
환경 및 수출 분류
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
DIGI 인증
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