제조업체 제품 번호:
PBSS5230QAZ
Product Overview
제조사:
NXP Semiconductors
부품 번호:
PBSS5230QAZ-DG
설명:
NEXPERIA PBSS5230QA - 30 V, 2 A
상세 설명:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 30 V 2 A 170MHz 325 mW Surface Mount DFN1010D-3
재고:
554308 새로운 원본 재고 있음
12996639
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제출
PBSS5230QAZ 기술 사양
카테고리
바이폴라 (BJT), 단일 양극 트랜지스터
제조사
NXP Semiconductors
포장
Bulk
시리즈
-
제품 상태
Active
트랜지스터 유형
PNP
전류 - 컬렉터(Ic)(최대)
2 A
전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대)
30 V
Vce 포화도(최대) @ Ib, Ic
210mV @ 50mA, 1A
전류 - 컬렉터 컷오프(최대)
100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce
60 @ 2A, 2V
전력 - 최대
325 mW
빈도 - 전환
170MHz
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
3-XDFN Exposed Pad
공급업체 장치 패키지
DFN1010D-3
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
2156-PBSS5230QAZ-954
표준 패키지
4,691
환경 및 수출 분류
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0075
DIGI 인증
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