제조업체 제품 번호:
PDTA114TM315
Product Overview
제조사:
NXP Semiconductors
부품 번호:
PDTA114TM315-DG
설명:
TRANS PREBIAS
상세 설명:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 mW Surface Mount DFN1006-3
재고:
12947697
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제출
PDTA114TM315 기술 사양
카테고리
바이폴라 (BJT), 단일, 프리바이즈드 바이폴라 트랜지스터
제조사
NXP Semiconductors
포장
-
시리즈
PDTA114T
제품 상태
Active
트랜지스터 유형
PNP - Pre-Biased
전류 - 컬렉터(Ic)(최대)
100 mA
전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대)
50 V
저항기 - 베이스(R1)
10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce
200 @ 1mA, 5V
Vce 포화도(최대) @ Ib, Ic
150mV @ 500µA, 10mA
전류 - 컬렉터 컷오프(최대)
1µA
전력 - 최대
250 mW
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
SC-101, SOT-883
공급업체 장치 패키지
DFN1006-3
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
2156-PDTA114TM315-NXP
NEXPHIPDTA114TM315
표준 패키지
11,871
환경 및 수출 분류
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8542.21.0095
DIGI 인증
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