제조업체 제품 번호:
PEMD12,115
Product Overview
제조사:
NXP Semiconductors
부품 번호:
PEMD12,115-DG
설명:
NEXPERIA PEMD12 - SMALL SIGNAL B
상세 설명:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666
재고:
4633890 새로운 원본 재고 있음
12967729
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제출
PEMD12,115 기술 사양
카테고리
바이폴라 (BJT), 바이폴라 트랜지스터 배열, 프리 바이어스
제조사
NXP Semiconductors
포장
Bulk
시리즈
-
제품 상태
Active
트랜지스터 유형
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류 - 컬렉터(Ic)(최대)
100mA
전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대)
50V
저항기 - 베이스(R1)
47kOhms
저항기 - 이미터 베이스(R2)
47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce
80 @ 5mA, 5V
Vce 포화도(최대) @ Ib, Ic
150mV @ 500µA, 10mA
전류 - 컬렉터 컷오프(최대)
1µA
빈도 - 전환
-
전력 - 최대
300mW
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
SOT-563, SOT-666
공급업체 장치 패키지
SOT-666
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
2156-PEMD12,115-954
표준 패키지
4,661
환경 및 수출 분류
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
DIGI 인증
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