제조업체 제품 번호:
PH3120L,115
Product Overview
제조사:
NXP Semiconductors
부품 번호:
PH3120L,115-DG
설명:
NEXPERIA PH3120L - 100A, 20V, 0.
상세 설명:
N-Channel 20 V 100A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
재고:
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제출
PH3120L,115 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
NXP Semiconductors
포장
Bulk
시리즈
TrenchMOS™
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
20 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
100A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
2.65mOhm @ 25A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2V @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
48.5 nC @ 4.5 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
4457 pF @ 10 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
62.5W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
LFPAK56, Power-SO8
패키지 / 케이스
SC-100, SOT-669
추가 정보
다른 이름들
2156-PH3120L,115-954
표준 패키지
1,110
환경 및 수출 분류
수분 민감도 수준(MSL)
Vendor Undefined
REACH 상태
REACH Unaffected
DIGI 인증
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