제조업체 제품 번호:
PHE13003A126
Product Overview
제조사:
NXP USA Inc.
부품 번호:
PHE13003A126-DG
설명:
NOW WEEN - PHE13003A - POWER BIP
상세 설명:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 1 A 2.1 W Through Hole TO-92-3
재고:
12947564
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제출
PHE13003A126 기술 사양
카테고리
바이폴라 (BJT), 단일 양극 트랜지스터
제조사
NXP Semiconductors
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Active
트랜지스터 유형
NPN
전류 - 컬렉터(Ic)(최대)
1 A
전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대)
400 V
Vce 포화도(최대) @ Ib, Ic
1.5V @ 250mA, 750mA
전류 - 컬렉터 컷오프(최대)
1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce
10 @ 400mA, 5V
전력 - 최대
2.1 W
빈도 - 전환
-
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
패키지 / 케이스
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
공급업체 장치 패키지
TO-92-3
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
WENNXPPHE13003A126
2156-PHE13003A126
표준 패키지
4,609
환경 및 수출 분류
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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