제조업체 제품 번호:
PHM21NQ15T,518
Product Overview
제조사:
NXP USA Inc.
부품 번호:
PHM21NQ15T,518-DG
설명:
MOSFET N-CH 150V 22.2A 8HVSON
상세 설명:
N-Channel 150 V 22.2A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount 8-HVSON (5x6)
재고:
12872019
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제출
PHM21NQ15T,518 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
NXP Semiconductors
포장
-
시리즈
TrenchMOS™
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
150 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
22.2A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
55mOhm @ 15A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
36.2 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
2080 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
62.5W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
8-HVSON (5x6)
패키지 / 케이스
8-VDFN Exposed Pad
기본 제품 번호
PHM21
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
PHM21NQ15T /T3-DG
934057305518
PHM21NQ15T /T3
표준 패키지
2,500
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
BSC520N15NS3GATMA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
13559
부품 번호
BSC520N15NS3GATMA1-DG
단가
0.60
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
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