제조업체 제품 번호:
PMCM6501VPEZ
Product Overview
제조사:
NXP Semiconductors
부품 번호:
PMCM6501VPEZ-DG
설명:
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
상세 설명:
P-Channel 12 V 6.2A (Ta) 556mW (Ta), 12.5W (Tc) Surface Mount 6-WLCSP (1.48x0.98)
재고:
7773886 새로운 원본 재고 있음
12947728
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
PMCM6501VPEZ 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
NXP Semiconductors
포장
Bulk
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
P-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
12 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
6.2A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
1.8V, 4.5V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
25mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(일) (최대) @ Id
900mV @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
29.4 nC @ 4.5 V
Vgs(최대)
±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1400 pF @ 6 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
556mW (Ta), 12.5W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
6-WLCSP (1.48x0.98)
패키지 / 케이스
6-XFBGA, WLCSP
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
NEXNEXPMCM6501VPEZ
2156-PMCM6501VPEZ-NEX
표준 패키지
1,528
환경 및 수출 분류
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
관련 상품
CMS07P10V8-HF
MOSFET P-CH 100V 2.2A/7A PRPAK
A2N7002HL-HF
MOSFET N-CH 60V 300MA DFN1006-3
STB11NM60T4
MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
