PMDPB95XNE2115
제조업체 제품 번호:

PMDPB95XNE2115

Product Overview

제조사:

NXP USA Inc.

부품 번호:

PMDPB95XNE2115-DG

설명:

NOW NEXPERIA PMDPB95XNE SMALL SI
상세 설명:
Mosfet Array 30V 2.7A (Ta) 510mW (Ta), 8.33W (Tc) Surface Mount 6-HUSON (2x2)

재고:

12947740
견적 요청
수량
최소 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출

PMDPB95XNE2115 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET 배열
제조사
NXP Semiconductors
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Active
기술
MOSFET (Metal Oxide)
구성
2 N-Channel
FET 기능
Standard
드레인-소스 전압(Vdss)
30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
2.7A (Ta)
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
99mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(일) (최대) @ Id
1.25V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
4.5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
258pF @ 15V
전력 - 최대
510mW (Ta), 8.33W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
6-UDFN Exposed Pad
공급업체 장치 패키지
6-HUSON (2x2)

데이터 시트 및 문서

데이터시트
HTML 데이터시트

추가 정보

다른 이름들
NEXNXPPMDPB95XNE2115
2156-PMDPB95XNE2115
표준 패키지
2,818

환경 및 수출 분류

증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
관련 상품
vishay-siliconix

SIA938DJT-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6

vishay-siliconix

SIZ256DT-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 70V 11.5A 8PWRPAIR

diodes

2N7002VC-7

MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563