제조업체 제품 번호:
PMDPB95XNE2X
Product Overview
제조사:
NXP Semiconductors
부품 번호:
PMDPB95XNE2X-DG
설명:
MOSFET 30V
상세 설명:
Mosfet Array 30V 2.7A (Ta) 510mW (Ta), 8.33W (Tc) Surface Mount 6-HUSON (2x2)
재고:
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제출
PMDPB95XNE2X 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET 배열
제조사
NXP Semiconductors
포장
Bulk
시리즈
-
제품 상태
Active
기술
MOSFET (Metal Oxide)
구성
2 N-Channel
FET 기능
Standard
드레인-소스 전압(Vdss)
30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
2.7A (Ta)
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
99mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(일) (최대) @ Id
1.25V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
4.5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
258pF @ 15V
전력 - 최대
510mW (Ta), 8.33W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
급
-
자격
-
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
6-UDFN Exposed Pad
공급업체 장치 패키지
6-HUSON (2x2)
기본 제품 번호
PMDPB95
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
2156-PMDPB95XNE2X-954
표준 패키지
2,818
환경 및 수출 분류
수분 민감도 수준(MSL)
Vendor Undefined
REACH 상태
REACH Unaffected
DIGI 인증
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