제조업체 제품 번호:
PMDXB1200UPE147
Product Overview
제조사:
NXP USA Inc.
부품 번호:
PMDXB1200UPE147-DG
설명:
NOW NEXPERIA PMDXB1200UPE SMALL
상세 설명:
Mosfet Array 30V 410mA (Ta) 285mW (Ta), 4.03W (Tc) Surface Mount DFN1010B-6
재고:
12947180
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제출
PMDXB1200UPE147 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET 배열
제조사
NXP Semiconductors
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Active
기술
MOSFET (Metal Oxide)
구성
2 P-Channel
FET 기능
Standard
드레인-소스 전압(Vdss)
30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
410mA (Ta)
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 410mA, 4.5V
Vgs(일) (최대) @ Id
0.95V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
1.2nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
43.2pF @ 15V
전력 - 최대
285mW (Ta), 4.03W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
6-XFDFN Exposed Pad
공급업체 장치 패키지
DFN1010B-6
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
NEXNXPPMDXB1200UPE147
2156-PMDXB1200UPE147
표준 패키지
3,852
환경 및 수출 분류
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0095
DIGI 인증
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