제조업체 제품 번호:
PMV90EN,215
Product Overview
제조사:
NXP USA Inc.
부품 번호:
PMV90EN,215-DG
설명:
MOSFET N-CH 30V 1.9A TO236AB
상세 설명:
N-Channel 30 V 1.9A (Ta) 310mW (Ta), 2.09W (Tc) Surface Mount SOT-23 (TO-236AB)
재고:
12874653
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
PMV90EN,215 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
NXP Semiconductors
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
30 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
1.9A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
84mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
4 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
132 pF @ 15 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
310mW (Ta), 2.09W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
SOT-23 (TO-236AB)
패키지 / 케이스
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
기본 제품 번호
PMV9
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
PMV90EN,215-DG
568-10838-2
568-10838-1
934066504215
568-10838-6
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
DMN3200U-7
제조사
Diodes Incorporated
구매 가능 수량
99540
부품 번호
DMN3200U-7-DG
단가
0.09
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
DMG3418L-7
제조사
Diodes Incorporated
구매 가능 수량
87765
부품 번호
DMG3418L-7-DG
단가
0.06
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
관련 상품
STP17N62K3
MOSFET N-CH 620V 15.5A TO220AB
STU7N105K5
MOSFET N-CH 1050V 4A IPAK
IRF630
MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
