제조업체 제품 번호:
PMWD30UN,518
Product Overview
제조사:
NXP USA Inc.
부품 번호:
PMWD30UN,518-DG
설명:
MOSFET 2N-CH 30V 5A 8TSSOP
상세 설명:
Mosfet Array 30V 5A 2.3W Surface Mount 8-TSSOP
재고:
12811658
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
PMWD30UN,518 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET 배열
제조사
NXP Semiconductors
포장
-
시리즈
TrenchMOS™
제품 상태
Obsolete
기술
MOSFET (Metal Oxide)
구성
2 N-Channel (Dual)
FET 기능
Logic Level Gate
드레인-소스 전압(Vdss)
30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
5A
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
33mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs(일) (최대) @ Id
700mV @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
28nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1478pF @ 10V
전력 - 최대
2.3W
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급업체 장치 패키지
8-TSSOP
기본 제품 번호
PMWD30
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
568-2364-1
568-2364-2
PMWD30UN /T3
PMWD30UN518
934057599518
표준 패키지
2,500
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
관련 상품
PHN210,118
MOSFET 2N-CH 30V 8SO
VQ1006P-2
MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP
PMWD15UN,518
MOSFET 2N-CH 20V 11.6A 8TSSOP
