제조업체 제품 번호:
PSMN6R3-120PS
Product Overview
제조사:
NXP Semiconductors
부품 번호:
PSMN6R3-120PS-DG
설명:
PSMN6R3-120PS - N-CHANNEL 120V S
상세 설명:
N-Channel 120 V 70A (Ta) 405W (Ta) Through Hole TO-220AB
재고:
319 새로운 원본 재고 있음
12986865
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제출
PSMN6R3-120PS 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
NXP Semiconductors
포장
Bulk
시리즈
-
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
120 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
70A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
6.7mOhm @ 25A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
207.1 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
11384 pF @ 60 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
405W (Ta)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-220AB
패키지 / 케이스
TO-220-3
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
2156-PSMN6R3-120PS
표준 패키지
141
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
RoHS non-compliant
REACH 상태
Vendor Undefined
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0075
DIGI 인증
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