제조업체 제품 번호:
PSMN8R5-100ESFQ
Product Overview
제조사:
NXP Semiconductors
부품 번호:
PSMN8R5-100ESFQ-DG
설명:
NEXPERIA PSMN8R5 - NEXTPOWER 100
상세 설명:
N-Channel 100 V 97A (Ta) 183W (Ta) Through Hole I2PAK
재고:
1000 새로운 원본 재고 있음
12996758
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제출
PSMN8R5-100ESFQ 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
NXP Semiconductors
포장
Bulk
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
100 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
97A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
7V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
8.8mOhm @ 25A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
44.5 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
3181 pF @ 50 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
183W (Ta)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
I2PAK
패키지 / 케이스
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
2156-PSMN8R5-100ESFQ-954
표준 패키지
437
환경 및 수출 분류
수분 민감도 수준(MSL)
Vendor Undefined
REACH 상태
REACH Unaffected
DIGI 인증
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